长鑫存储HBM技术取得设计突破

2026年10月12日，据 AGI Hunt 援引南华早报（SCMP）报道，中国存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）在三星和 SK 海力士长期垄断的一项关键技术上取得设计突破。报道称该技术被普遍认为指向 HBM（高带宽内存），若属实将缩小中国厂商在高端存储领域与国际大厂的差距，并对 AI 算力供应链格局产生潜在影响。相关快讯经 FirstSquawk 转发后引发关注。目前报道未披露该突破的具体技术细节、性能指标与量产时间表，长鑫存储方面尚无公开回应。

AI 根据报道生成 · 2 小时前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。