SK海力士公布3D FeNAND存内计算研究成果

2026年10月15日，据IT之家报道，SK海力士公布了3D FeNAND实现模拟存内计算（A-CiM）的研究成果，相关论文已发表于IEEE。报道称，A-CiM利用模拟信号直接在存储器内执行乘积累加运算（MAC），可减少数据搬运，从而提升处理速度与能效。3D FeNAND则利用铁电材料的极化状态存储数据并控制电流，单个存储单元能产生多种电流状态，适合承载AI计算所需的权重数据。该技术被描述为瞄准AI计算方向。目前公开信息仅涉及研究成果与论文发表，尚无产品化、量产或商用时间表等后续进展。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。