铭芯启睿1Gb RRAM芯片“泰山一号”流片

2026年10月14日，铭芯启睿（MemSilicon）宣布，其基于 1TnR 技术路线的首代高密度、大容量 RRAM（阻变存储器）芯片“泰山一号（MountTai 2026）”已完成流片，目前正推进芯片验证。据报道，该芯片采用 28nm CMOS 工艺平台及 1T4R 存储结构，单芯片容量为 1Gb，存储密度达 30Mb / mm²，访问延时小于 20ns，并集成片上硬件纠错电路。现有报道未披露该芯片的量产时间、良率及客户导入等后续信息，事件进展停留在流片与验证阶段。

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