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瑞萨推出首款低压氮化镓功率半导体
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AI 综述
2026年10月6日，瑞萨电子宣布推出公司首款低压氮化镓功率半导体，即100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管系列，面向AI数据中心、人形机器人和工业电机驱动等领域。该系列包含RTP100E005G1FL等四款型号。据IT之家报道，这些产品的硬开关FOM最高降低35%、软开关FOM最高降低63%，相较硅基设计效率提升1%至3%，开关损耗降低40%至70%。报道未提及量产时间与下游应用进展。
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最新进展10月6日 16:42
瑞萨发布首款低压GaN功率半导体，100V增强型系列开关损耗最多降70%。报道时间线
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10月6日
- IT之家瑞萨推出品牌首款低压氮化镓功率半导体，面向 AI 数据中心、人形机器人等领域
瑞萨电子推出公司首款低压氮化镓功率半导体，即 100V 增强型（E-mode）GaN 分立功率晶体管系列，面向 AI 数据中心、人形机器人和工业电机驱动等。该系列含 RTP100E005G1FL 等四款型号，硬开关 FOM 最高降低 35%、软开关 FOM 最高降低 63%，较硅基设计效率提升 1% 至 3%，开关损耗降低 40% 至 70%。
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