消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款面向 AI 负载优化的 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O，三种产品各有专长。zNAND-T 的 T 代表吞吐量，类似闪迪与 SK 海力士的 HBF 概念，面向数据中心 AI 半导体优化读写带宽，采用 TSV 堆叠 NAND Die。zNAND-I 的 I 指 IOPS，面向少量数据频繁读写场景，如 KV Cache 卸载。