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三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存
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先了解这件事
AI 综述
此前三星电子已公布面向 AI 负载优化的 zNAND-O 闪存。2026 年 10 月 12 日，IT之家援引消息称，三星还在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款闪存，加上 zNAND-O，三种产品各有专长。报道称，zNAND-T 的 T 代表吞吐量，概念上类似闪迪与 SK 海力士的 HBF，面向数据中心 AI 半导体优化读写带宽，采用 TSV 堆叠 NAND Die；zNAND-I 的 I 指 IOPS，面向少量数据频繁读写的场景，例如 KV Cache 卸载。目前报道仅给出两款产品的定位与开发状态，未披露具体规格与量产时间。
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最新进展10月12日 13:54
消息称三星在已公布 zNAND-O 之外，正开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 优化闪存。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月12日
- IT之家消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款面向 AI 负载优化的 NAND 闪存，加上此前已公布的 zNAND-O，三种产品各有专长。zNAND-T 的 T 代表吞吐量，类似闪迪与 SK 海力士的 HBF 概念，面向数据中心 AI 半导体优化读写带宽，采用 TSV 堆叠 NAND Die。zNAND-I 的 I 指 IOPS，面向少量数据频繁读写场景，如 KV Cache 卸载。
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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。