SK 海力士 HBM4 后段工艺卡壳超一年，传三星明年将夺回份额

SK 海力士 HBM4 后端封装问题已持续超一年，MR-MUF 工艺反成绊脚石。HBM4 为符合 JEDEC 标准压缩了 DRAM 裸片间距，粘稠的 underfill（MUF）材料难以稳定注入，涂布不均产生空洞会造成芯片缺陷。海力士以加厚部分上层 DRAM（此前需研磨至 775 微米）并缩小间距应对，发帖人判断三星明年将拿下最高 HBM 市场份额。