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SK 海力士 HBM4 后段封装卡壳超一年
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AI 综述
SK 海力士 HBM4 的后段封装问题已持续超过一年。据 2026 年 10 月 14 日报道，其 MR-MUF 工艺反而成为绊脚石：HBM4 为符合 JEDEC 标准压缩了 DRAM 裸片间距，粘稠的 underfill（MUF）材料难以稳定注入，涂布不均产生空洞，进而造成芯片缺陷。报道称海力士的应对方式是加厚部分上层 DRAM（此前需研磨至 775 微米）并缩小间距。发帖人据此判断，三星明年将拿下最高 HBM 市场份额。
AI 根据报道生成 · 2 小时前更新
最新进展10月14日 17:39
后段封装问题持续超一年，MR-MUF 反成绊脚石，有判断称三星明年将夺回份额。报道时间线
沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月14日
- AGI HuntSK 海力士 HBM4 后段工艺卡壳超一年，传三星明年将夺回份额
SK 海力士 HBM4 后端封装问题已持续超一年，MR-MUF 工艺反成绊脚石。HBM4 为符合 JEDEC 标准压缩了 DRAM 裸片间距，粘稠的 underfill（MUF）材料难以稳定注入，涂布不均产生空洞会造成芯片缺陷。海力士以加厚部分上层 DRAM（此前需研磨至 775 微米）并缩小间距应对，发帖人判断三星明年将拿下最高 HBM 市场份额。
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